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工艺开发与成品率改进

TEM 成像和计量数量的一场变革

移动电子设备是否能取得商业成功,上市时间变得越来越重要。每个产品要想取得所需的投资回报和商业成功,达到高成品率所需的时间至关重要。在半导体设备诸多制造环节中,成品率分析以往都是通过目视或基于 SEM 的工具套件来监控,但现在越来越依赖 TEM 图像提供的反馈和计量。FEI 利用新型、高效的工具工作流,助力制造商从 SEM 转型到 TEM,而且这些工具工作流可提供尽可能最低的每 TEM 样品成本。

文档

产出高、周转快的自动内联 TEM 样本制备

当今实验室中采用的 TEM 样本制备方法在产量和周转速度上都存在限制,因为制备 TEM 片层的难度很大,而且需要很长的处理时间。为缩短 TEM 样本制备时间,制造环境中引入了 DualBeam (FIB/SEM) 系统的正面取样技术和全晶圆切片 TEM 样本制备功能。

Products for 工艺开发与成品率改进

Metrios TEM 的半导体应用
先进的逻辑和内存制造工艺越来越依赖于精确的结构和分析数据的快速转换,以便快速校准工具集、诊断产品成品率偏差和优化制程成品率。 在低于 28 nm 的技术节点,传统的 SEM 或基于光学的分析和检验工具无法提供有用的数据。Metrios 可使基本的 TEM 操作和测量过程自动化,对专门的操作员培训要求也降至最低。而且,相比手动方法,先进的自动化测量例程显著提高了精度。Metrios 用于提供大量的 TEM 数据,操作精确且可重复 - 单位样品成本极低。
ExSolve WTP 的半导体应用
ExSolve wafer TEM prep (WTP) 能够大大降低样品制备成本并提高制备速度,让半导体和数据存储制造商能够快速轻松地获得所需数据,用以验证并监控流程性能。
Helios NanoLab 1200AT 的半导体应用
Helios NanoLab 1200AT 是 FEI 最新一代整片晶圆 DualBeam,专为解决 14 nm 及以下节点的 TEM 样品制备挑战而设计。此系统能够在完全恰当的位置生成亚 15 nm 厚的片层样品,从而捕获点缺陷并隔离预定义结构以进行监控。
Helios NanoLab 460HP 的半导体应用
Helios 460HP 非常适合高通量、高质量、超薄 TEM 薄片样品制备,而且随附 EasyLift EX Nanomanipulator 以用于原位样品提取。当与 FEI 为非原位或原位反面样品制备而设计的 iFast Starter Recipes 一起使用时,即使新手操作员也能够以极大的信心制作高质量的超薄片层。QuickFlip 梭的加入有利于反面样品减薄,从而消除兴趣区域的帘幕化。相比于 Helios 450,这些独特功能的组合最终可以使 TEM 薄片样品通量提高 30% 以上。
Helios PFIB 的半导体应用
Helios PFIB 是世界上最先进的大面积逆向处理 DualBeam 等离子 FIB 平台,可实现先进工艺芯片的电气故障隔离和三维封装的先进失效分析。
Vion 等离子聚焦离子束的半导体应用
Vion 等离子 FIB 是一款能够进行高精度高速切削和铣削的仪器。它能够有选择地对兴趣区域进行铣削。此外,这款 PFIB 还能有选择地沉积构成图案的导体和绝缘体。
V400ACE 聚焦离子束的半导体应用
V400ACE 专为解决高级设计与工艺面临的挑战而设计:几何尺寸更小、电路密度更高、采用了特殊材料和复杂的互连结构。使用选配的 IR 显微镜和块状硅刻蚀工具包配置 V400ACE 时,它还能具备背面编辑功能。
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