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FEI 部件

带电粒子光学性能无可匹敌

FEI 是生产热场发射源、单透镜电子源、超高压 (UHV) 聚焦离子束 (FIB) 柱、超高压扫描电子显微镜 (SEM) 电子束和射束配送系统等电子显微镜部件的世界领导者。

选择部件类型:

电子源和离子源
发射源、电子源和离子源产品包括单晶钨、热场肖特基电子发射体和液态金属离子源 (LMIS)。
UHV 聚焦离子束 (FIB) 子系统
FEI 为高级材料研究和表面科学应用提供尖端的 UHV FIB 柱和射束配送系统。
UHV 扫描电子显微镜 (SEM) 子系统
FEI 为高级成像和表面分析工作提供两个透镜、UHV 兼容的高分辨率静电 SEM 柱和射束配送系统。
OEM 定制产品
FEI 为各种 OEM 应用定制单透镜肖特基场发射静电电子源。

电子源和离子源

FEI 自 1971 年起成为场发射技术的世界领导者,提供各种电子和离子源解决方案。

热场发射体

肖特基发射是热场发射的一种形式,FEI 高级电子束设备中使用了这一领先的电子源技术。肖特基发射最常应用于高分辨率 SEM、TEM(透射电镜)、电子束光刻和 Auger 系统。

优势

  • 简单易用
  • 源寿命长
  • 虚拟源很小
  • 亮度高
  • 稳定性高
  • 噪音小

液态金属离子源 (LMIS)

LMIS 可用于实现高分辨率聚焦离子束 (FIB) 成像、纳米制作、深度剖析、二次离子质谱 (SIMS)*、离子掺杂和离子束光刻。FEI 将 LMIS 应用于 FIB 柱、FIB 系统和 DualBeam 系统的各种配置。

优势

  • 光强度高
  • 发射过程稳定

单晶钨

FEI 还提供众多方位、直径和长度的区熔单晶钨丝。

LaB6 和 CeB6 发射体

有关 FEI LaB6 和 CeB6 发射体的信息,请联系当地的 FEI 客户服务团队。有关非 FEI 系统的问题,请查阅应用物理学技术

如需更多信息,

联系销售代表

UHV FIB 子系统

FEI UHV Magnum 聚焦离子束 (FIB) 子系统提供纳米量级图形、光刻和成像的多用途解决方案。此子系统适合于 UHV 应用场合,可为定制或现有系统提供补强型 FIB 功能。

UHV Magnum 柱应用

  • 微切片
  • 样本原位成像
  • UHV 扫描离子显微术
  • 高分辨率 SIMS 成像
  • 纳米量级微加工
  • 选区 Auger 深度剖析
  • 附加 FIB 功能

纳米量级成像、微加工和绘图

FEI 的双透镜 UHV Magnum 离子柱在 FEI 镓液态金属离子源 (LMIS) 和 FEI 射束偏转系统 (BDS) 中提供 5 到 7 nm 的分辨率。FEI 的精密光学部件可确保提供可控、高电流密度的射束轮廓,以实现精确的离子光刻,同时保持高分辨率的成像功能。

独特成像

聚焦离子束可创造电子束所不能及的独特成像机制。其中部分机制包括:二次离子显微术、近表面二次电子显微术、离子通道对比、深度剖析和二次离子质谱。

系统兼容性

UHV Magnum 与测试 UHV 兼容,并使用 4.5" Conflat 法兰或 6" Conflat 法兰安装。UHV Magnum 8.75" 窄真空扩展器很容易集成到检测器和其他部件接近样本区域的系统。差分抽气孔将源区域的真空室与样本区域的真空室隔离开。需要单独的离子泵来维持源区域的真空状态。

根据您的需要配置

UHV Magnum 配备有机械式的可变孔径,易于使用并能够操作各种射束电流,使之能够在 5 nm 范围内完成高速光刻和非常精确的成像。可用探针电流范围介于 1 pA 到 20 nA 之间。

简单易用

离子柱的 LMIS 发射体安装简单,并能够在很长的生命周期内无故障运行。BDS 200 电子产品通过集成的反馈回路实现射束电流的稳定化。离子柱隔离阀将源区域与样本室隔离开,因此 LMIS 可在不干扰系统真空状态的情况下充电。反之,系统真空室可在不干扰源区域真空状态的情况下开放。

FEI 已经联合 Frencken America Inc. 开发了 UHV 成像解决方案,包括 FEI UHV Magnum FIB 和 UHV 2LE SEM。

价格详询 +1 (509) 924-9777

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UHV SEM 子系统

FEI UHV 扫描电子显微镜 (SEM) 子系统提供一个多用途的纳米量级射束偏转和成像系统。电子束通过静电偏转进行控制,适合用于成像、Auger 系统、样本照明和其他各种应用。

UHV SEM 柱应用

  • 纳米量级成像
    • STM 尖端定位
    • 样本成像
  • Auger 分析
  • 电子束光刻
  • 原位样本通电

BDS(射束偏转系统)电子产品

偏转电子产品、信号放大和高压电源全部通过 FEI 全新的束流配送系统 BDS 电子器件控制。通过集成的图形用户界面 (GUI) 和电子器件可对束流进行全面控制。

  • 偏转
  • 放大
  • 扫描(内部或外部生成,以便与客户提供的探测器同步)
  • 数字成像(二次电子)
  • 图像处理

系统兼容性

UHV SEM 出色地记录了 OEM 客户和最终用户在 UHV 环境中的应用情形。柱部件采用 4.5" Conflat 法兰安装,而 UHV SEM 8" 窄真空扩展器很容易集成到检测器和其他部件接近样本区域的系统。差分抽气孔将源区域的真空室与样本区域的真空室隔离开。FEI 提供单独的离子泵来维持源区域的真空状态。

根据您的需要配置

UHV SEM 配备有易于维护的电子可变孔径,因而简单易用并能够操作各种射束电流。随着转盘的旋转,电子柱可以从低电流高分辨率运行模式转变为高电流分析绘图模式

简单易用

电子柱的肖特基场发射电子源安装简单,并能够在整个生命周期内无故障运行。柱隔离阀将源区域与样本室隔离开,因此发射体可在不干扰系统真空状态的情况下充电。反之,系统真空室可在不干扰源区域真空状态的情况下开放。

FEI 已经联合 Frencken America Inc. 开发了 UHV 成像解决方案,包括 FEI UHV Magnum FIB 和 UHV 2LE SEM。

价格详询 +1 (509) 924-9777

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OEM 定制产品

世界上领先的显微镜和分析系统制造商都依赖于 FEI 的电子/离子柱。我们创作出卓越的设计图并使用可靠的大容量方法制造出来。

我们提供从初始概念到大规模柱生产的集成设计服务。无论您想要独特的柱设计,还是外包当前的柱生产,贵企业都将从与 FEI 的合作中受益。

卓越制造

FEI 之所以成为一流的制造企业,完全依赖于从可制造性设计到标准过程控制方法的完善质量控制体系。我们生产了世界上数量最多的电子柱和离子柱以及电子源和离子源。

FEI 部件合作伙伴 OEM 客户涉足以下应用:

  • CD SEM
  • 电子束缺陷审查
  • 电子束缺陷检测
  • 高分辨率 UHV SEM 成像
  • Auger 分析
  • SPM 探针定位
  • SIMS 和 TOF-SIMS
  • 深度剖析
  • FIB 表面改质

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